ES1M貼片超快恢復(fù)二極管,1A,1000V,ES1M封裝有SMA/SMAF多種封裝,ES1G的封裝不同,則尺寸不同,參數(shù)一致
ES1M超快恢復(fù)二極管/SMA參數(shù)規(guī)格書: 點(diǎn)擊下載
ES1M超快恢復(fù)二極管/SMAF參數(shù)規(guī)格書: 點(diǎn)擊下載
ES1M,SMA/SMAF封裝參數(shù)如下：
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 最大重復(fù)峰值反向電壓：1000V
Maximum DC blocking voltage VDC 最大直流閉鎖電壓：1000V
Maximum average forward rectified current I(AV) 最大正向平均整流電流：1A
Maximum instantaneous forward voltage at 1A VF 1A時的最大瞬時正向電壓：1.7V
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=25℃ IR 額定直流阻斷電壓下的最大直流反向電流：5.0uA
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=125℃ IR 額定直流阻斷電壓下的最大直流反向電流：100uA
Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG 工作溫度和存儲溫度范圍：-55to +150℃
Maximum reverse recovery time 恢復(fù)時間：35ns
ES1M超快恢復(fù)二極管，DO-214AC/SMA封裝尺寸：
ES1M超快恢復(fù)二極管，SMAF封裝尺寸：
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